软著之家公告：武汉东湖新技术开发区管委会关于进一步加强知识产权工作，于2016年9月1日-10月31日将对发明2000元/件，实用新型500元/件，外观设计500元/件，pCT专利申请资助标准：10,000元/件，集成电路布图设计申请资助标准：2000元/件，具体通知如下：

一、依据

《武汉东湖新技术开发区管委会关于进一步加强知识产权工作的若干意见》（武新规[2015]10号)第二条。

二、申请条件

（一）申请资助的单位（以下简称：申请单位）应为在东湖开发区工商注册、纳税的企事业单位，多个专利申请人的以第一专利申请人为准。

（二）申请单位在上一年10月1日到当年9月30日（2016年为1月1日-9月30日）内提出中国专利、pCT专利申请或集成电路布图设计申请，并缴纳相关费用，且申请通信地址在东湖开发区区域内。

三、申请材料

1、东湖高新区专利和集成电路布图设计申请资助资金申请表。

2、专利或集成电路布图设计申请受理通知书原件及复印件（加盖公章）。

3、单位营业执照、组织机构代码证、税务登记证和近期中华人民共和国税收通用缴款书原件及复印件（含国税、地税各一份）（加盖公章），科研院所需出具事业单位法人证书和组织机构代码证原件及复印件（加盖公章）。

4、有关费用支出凭证复印件?(由国家知识产权局专利局或武汉代办处或专利代理机构出具的专利或集成电路布图设计申请费、发明专利实审费缴费收据复印件或专利授权证书复印件（加盖公章））。

四、资助或奖励标准

（一）国内专利申请资助标准（港、澳、台地区专利申请参照执行）：

1、发明2000元/件。

2、实用新型500元/件。

3、外观设计500元/件。

（二）pCT专利申请资助标准：10,000元/件。

（三）集成电路布图设计申请资助标准：2000元/件。

五、审核程序

高新区知识产权办对申请单位提交的资料进行审核后，向财政局提出拨款申请，财政局核准后按预算办理拨付手续。